Ieee Transactions On Electron Devices SCIE

國際簡稱：IEEE T ELECTRON DEV 參考譯名：IEEE Transactions On Electron Devices

主要研究方向：工程技術-工程：電子與電氣非預警期刊審稿周期：約4.7個月

《IEEE Transactions On Electron Devices》(Ieee Transactions On Electron Devices)是一本由Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.出版的以工程技術-工程：電子與電氣為研究特色的國際期刊，發表該領域相關的原創研究文章、評論文章和綜述文章，及時報道該領域相關理論、實踐和應用學科的最新發現，旨在促進該學科領域科學信息的快速交流。該期刊是一本未開放期刊，近三年沒有被列入預警名單。該期刊享有很高的科學聲譽，影響因子不斷增加，發行量也同樣高。

2區中科院分區
Q2 JCR分區
1084 年發文量
2.9 IF影響因子
未開放 是否OA
165 H-index
1954 創刊年份
Monthly 出版周期
English 出版語言

IEEE Transactions on Electron Devices publishes original and significant contributions relating to the theory, modeling, design, performance and reliability of electron and ion integrated circuit devices and interconnects, involving insulators, metals, organic materials, micro-plasmas, semiconductors, quantum-effect structures, vacuum devices, and emerging materials with applications in bioelectronics, biomedical electronics, computation, communications, displays, microelectromechanics, imaging, micro-actuators, nanoelectronics, optoelectronics, photovoltaics, power ICs and micro-sensors. Tutorial and review papers on these subjects are also published and occasional special issues appear to present a collection of papers which treat particular areas in more depth and breadth.

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Ieee Transactions On Electron Devices期刊信息

ISSN：0018-9383
出版語言：English
是否OA：未開放
E-ISSN：1557-9646
出版地區：UNITED STATES
是否預警：否
出版商：Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.
出版周期：Monthly
創刊時間：1954
開源占比：0.0674
Gold OA文章占比：6.38%
OA被引用占比：0.0017...
出版國人文章占比：0.22
出版撤稿占比：0
研究類文章占比：100.00%

Ieee Transactions On Electron Devices CiteScore評價數據（2024年最新版）

CiteScore

SJR

SNIP

CiteScore 指數

5.8

0.785

1.223

學科類別	分區	排名	百分位
大類：Engineering 小類：Electrical and Electronic Engineering	Q2	221 / 797	72%
大類：Engineering 小類：Electronic, Optical and Magnetic Materials	Q2	82 / 284	71%

名詞解釋：CiteScore 是衡量期刊所發表文獻的平均受引用次數，是在 Scopus 中衡量期刊影響力的另一個指標。當年CiteScore 的計算依據是期刊最近4年（含計算年度）的被引次數除以該期刊近四年發表的文獻數。例如，2022年的 CiteScore 計算方法為：2022年的 CiteScore =2019-2022年收到的對2019-2022年發表的文件的引用數量÷2019-2022年發布的文獻數量注：文獻類型包括：文章、評論、會議論文、書籍章節和數據論文。

Ieee Transactions On Electron Devices中科院評價數據

中科院 2023年12月升級版

Top期刊	綜述期刊	大類學科		小類學科
否	否	工程技術	2區	PHYSICS, APPLIED 物理：應用 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣	2區 3區

中科院 2022年12月升級版

Top期刊	綜述期刊	大類學科		小類學科
否	否	工程技術	2區	PHYSICS, APPLIED 物理：應用 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣	2區 3區

中科院 2021年12月舊的升級版

Top期刊	綜述期刊	大類學科		小類學科
否	否	工程技術	2區	PHYSICS, APPLIED 物理：應用 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣	2區 3區

中科院 2021年12月基礎版

Top期刊	綜述期刊	大類學科		小類學科
否	否	工程技術	3區	ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理：應用	3區 3區

中科院 2021年12月升級版

Top期刊	綜述期刊	大類學科		小類學科
否	否	工程技術	2區	PHYSICS, APPLIED 物理：應用 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣	2區 3區

中科院 2020年12月舊的升級版

Top期刊	綜述期刊	大類學科		小類學科
是	否	工程技術	2區	ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理：應用	2區 2區

Ieee Transactions On Electron Devices JCR評價數據（2023-2024年最新版）

按JIF指標學科分區	收錄子集	分區	排名	百分位
學科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC	SCIE	Q2	143 / 352	59.5%
學科：PHYSICS, APPLIED	SCIE	Q2	68 / 179	62.3%

按JCI指標學科分區	收錄子集	分區	排名	百分位
學科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC	SCIE	Q2	145 / 354	59.18%
學科：PHYSICS, APPLIED	SCIE	Q2	61 / 179	66.2%

Ieee Transactions On Electron Devices歷年數據統計

影響因子

中科院分區

Ieee Transactions On Electron Devices中國學者發文選摘

1、Suppression of Mode Competition in a Triaxial Klystron Amplifier With an Improved Three-Gap Bunching Cavity
Author: Yang, Fuxiang; Ge, Xingjun; Dang, Fangchao; He, Juntao; Ju, Jinchuan; Zhang, Xiaoping; Zhou, Yunxiao

Journal: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES. 2023; Vol. , Issue , pp. -. DOI: 10.1109/TED.2023.3263151
2、Surface-Potential-Based Drain Current Model for Ambipolar Organic TFTs
Author: He, Hongyu; Yin, Junli; Lin, Xinnan; Zhang, Shengdong

Journal: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES. 2023; Vol. , Issue , pp. -. DOI: 10.1109/TED.2023.3264718
3、Electrical Performance Enhancement and Low-Frequency Noise Estimation of In2O3-Based Thin Film Transistor Based on Doping Engineering
Author: Wu, Xiaoyu; He, Gang; Wang, Wenhao; Wang, Leini; Xu, Xiaofen; Gao, Qian; Liu, Yanmei; Jiang, Shanshan

Journal: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES. 2023; Vol. 70, Issue 1, pp. 105-112. DOI: 10.1109/TED.2022.3220482
4、Investigation of the Progressive Gate Breakdown Behaviors in p-GaN Gate HEMTs
Author: Chao, Xin; Tang, Chengkang; Tan, Jingjing; Wang, Chen; Sun, QingQing; Zhang, David Wei

Journal: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES. 2023; Vol. 70, Issue 1, pp. 25-30. DOI: 10.1109/TED.2022.3220498
5、A Datasheet-Driven Nonsegmented Empirical SPICE Model of SiC MOSFET With Improved Accuracy and Convergence Capability
Author: Yang, Tongtong; Li, Xianbing; Yin, Sen; Wang, Yan; Yue, Ruifeng

Journal: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES. 2023; Vol. 70, Issue 1, pp. 4-12. DOI: 10.1109/TED.2022.3220481
6、A Refined Ladder Transmission Line Model for the Extraction of Significantly Low Specific Contact Resistivity
Author: Sun, Xianglie; Luo, Jun; Liu, Yaodong; Xu, Jing; Gao, Jianfeng; Liu, Jinbiao; Zhou, Xuebing; He, Yanping; Kong, Mengjuan; Li, Yongliang; Li, Junfeng; Wang, Wenwu; Ye, Tianchun

Journal: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES. 2023; Vol. 70, Issue 1, pp. 209-214. DOI: 10.1109/TED.2022.3221380
7、Analysis of Breakdown-Voltage Increase on SiC Junction Barrier Schottky Diode Under Negative Bias Stress
Author: Jin, Fu-Yuan; Chen, Po-Hsun; Hung, Wei-Chun; Hung, Wei-Chieh; Chang, Chin-Han; Ciou, Fong-Min; Lin, Yu-Shan; Chang, Kai-Chun; Lin, Yun-Hsuan; Kuo, Ting-Tzu; Chen, Kuan-Hsu; Yeh, Chien-Hung; Chang, Ting-Chang

Journal: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES. 2023; Vol. 70, Issue 1, pp. 191-195. DOI: 10.1109/TED.2022.3223645
8、Novel Snapback-Free Shorted-Anode SOI-LIGBT With Shallow Oxide Trench and Adaptive Electron Channel
Author: Wu, Lijuan; Song, Xuanting; Zhang, Banghui; Liu, Heng; Liu, Qing; Liu, Yangzhi; Qiu, Tao

Journal: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES. 2023; Vol. 70, Issue 1, pp. 185-190. DOI: 10.1109/TED.2022.3223325