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鑒定分析原則,通常在專利侵權(quán)糾紛案件中進(jìn)行比對(duì)分析時(shí)都遵循以下步驟:首先,專利權(quán)保護(hù)范圍的確定,發(fā)明專利權(quán)的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以權(quán)利要求書(shū)中明確記載的必要技術(shù)特征所確定的范圍為準(zhǔn),也就是說(shuō)權(quán)利要求中的全部技術(shù)特征的總和構(gòu)成的技術(shù)方案才是受法律保護(hù)的客體。由于發(fā)明專利的獨(dú)立權(quán)利要求 從整體上體現(xiàn)該專利的技術(shù)方案,記載了解決技術(shù)問(wèn)題的必要技術(shù)特征,與從屬權(quán)利要求相比保護(hù)范圍最大。因此,判斷被控侵權(quán)產(chǎn)品或方法是否與對(duì)比專利的技術(shù)特征相同或等同時(shí),應(yīng)當(dāng)對(duì)保護(hù)范圍最大的獨(dú)立權(quán)利要求做出解釋。在解釋專利權(quán)利要求時(shí),應(yīng)當(dāng)以專利權(quán)利要求書(shū)記載的技術(shù)內(nèi)容為準(zhǔn),而不是以權(quán)利要求書(shū)的文字或措辭為準(zhǔn)的原則。其技術(shù)內(nèi)容應(yīng)當(dāng)通過(guò)參考和研究說(shuō)明書(shū),在全面考慮發(fā)明的技術(shù)領(lǐng)域、技術(shù)解決方案、作用和效果的基礎(chǔ)上加以確定。
其次,全部技術(shù)特征原則,判斷被控侵權(quán)產(chǎn)品或方法是否落入對(duì)比專利的保護(hù)范圍,應(yīng)當(dāng)將產(chǎn)品或方法的各技術(shù)特征分別與對(duì)比專利權(quán)利要求中的各技術(shù)特征逐一進(jìn)行比對(duì),如果被控侵權(quán)產(chǎn)品或方法包含了對(duì)比專利權(quán)利要求中的全部必要技術(shù)特征,則落入了對(duì)比專利的保護(hù)范圍。被控侵權(quán)產(chǎn)品或方法缺少對(duì)比專利的權(quán)利要求記載的一項(xiàng)或者多項(xiàng)技術(shù)特征的,或者被控侵權(quán)產(chǎn)品或方法的技術(shù)特征與對(duì)比專利權(quán)利要求記載的對(duì)應(yīng)技術(shù)特征相比,有一項(xiàng)或者多項(xiàng)技術(shù)特征既不相同也不等同的,應(yīng)當(dāng)認(rèn)定被控侵權(quán)產(chǎn)品或方法沒(méi)有落入專利權(quán)保護(hù)范圍。
再次,等同原則,專利權(quán)的保護(hù)范圍也包括與該必要技術(shù)特征相等同的特征所確定的范圍。等同原則是指被控侵權(quán)產(chǎn)品或方法中有一個(gè)或者一個(gè)以上的技術(shù)特征經(jīng)與對(duì)比專利權(quán)利要求記載的技術(shù)特征相比,從字面上看不相同,但經(jīng)過(guò)分析可以認(rèn)定兩者是相等同的技術(shù)特征。等同特征需同時(shí)滿足以下兩個(gè)條件:(1)被控侵權(quán)物中的技術(shù)特征與專利權(quán)利要求中的相應(yīng)技術(shù)特征相比,以基本相同的手段,實(shí)現(xiàn)基本相同的功能,達(dá)到基本相同的效果;(2)本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員通過(guò)閱讀專利說(shuō)明書(shū)、附圖和權(quán)利要求書(shū),無(wú)需經(jīng)過(guò)創(chuàng)造性勞動(dòng)就能夠聯(lián)想到的特征。
依據(jù)上述的鑒定原則,筆者通過(guò)閱讀專利說(shuō)明書(shū)、附圖和權(quán)利要求書(shū),解讀XXX號(hào)專利獨(dú)立權(quán)利要求1中的必要技術(shù)特征,并對(duì)芯片產(chǎn)品的上表面x射線光照?qǐng)D進(jìn)行分析,歸納其技術(shù)方案。
XXX號(hào)專利獨(dú)立權(quán)利要求1的技術(shù)方案包括如下技術(shù)特征:襯底和導(dǎo)體,在襯底的上表面上具有電路芯片、襯底信號(hào)區(qū)和電路芯片信號(hào)區(qū);在襯底的上表面上形成圖案的導(dǎo)體具有第一端子和第二端子,其中第一端子連接到襯底信號(hào)區(qū),第二端子連接到電路芯片信號(hào)區(qū)。
筆者在對(duì)集成電路芯片產(chǎn)品的上表面x射線光照?qǐng)D以及芯片產(chǎn)品側(cè)面通孔的x射線光照?qǐng)D進(jìn)行分析后,得出芯片的封裝特征包括:襯底基板、頂層表面導(dǎo)體、電容、功率放大器管芯、電感、管腳區(qū),上述管芯通過(guò)金屬線電氣連接到襯底圖案上。將上述導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中包括的技術(shù)特征及其連接關(guān)系逐一與XXX號(hào)專利獨(dú)立權(quán)利要求1的上述技術(shù)特征進(jìn)行分析比對(duì)后發(fā)現(xiàn),XXX號(hào)專利獨(dú)立權(quán)1中的技術(shù)特征:“在襯底的上表面上形成圖案的導(dǎo)體具有第一端子和第二端子,其中第一端子連接到襯底信號(hào)區(qū),第二端子連接到電路芯片信號(hào)區(qū)”與芯片產(chǎn)品的技術(shù)特征:“頂層表面導(dǎo)體及其連接方式”這一技術(shù)特征存在著不同。該差別主要是由于芯片產(chǎn)品的頂層表面導(dǎo)體具有多個(gè)端子,這多個(gè)端子有連接另一導(dǎo)體端子,有連接芯片信號(hào)區(qū),也有連接表貼元件焊盤(pán),可以看出這多個(gè)端子的連接對(duì)象不同,進(jìn)而所要實(shí)現(xiàn)的電路功能也是不同的。由此就可以初步認(rèn)定由于導(dǎo)體的端子不同,即導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的不同,導(dǎo)致導(dǎo)體的連接方式與XXX號(hào)專利技術(shù)特征存在著明顯的差別。
然而,若直接采用對(duì)上述的集成電路芯片技術(shù)特征的分析方式會(huì)存在問(wèn)題,因?yàn)樯鲜龅姆治龇绞绞菍⑿酒a(chǎn)品技術(shù)方案中的導(dǎo)體技術(shù)特征作為一個(gè)整體來(lái)看,若將芯片產(chǎn)品的導(dǎo)體結(jié)構(gòu)做進(jìn)一步的拆分則又會(huì)有不同的結(jié)果,即考慮將具有多個(gè)端子的導(dǎo)體看作由幾個(gè)部分的兩個(gè)端子的導(dǎo)體構(gòu)成,此時(shí)的結(jié)果是必定和權(quán)利要求1的導(dǎo)體技術(shù)特征相同。對(duì)此,將上表面的導(dǎo)體以整體來(lái)看還是將該導(dǎo)體進(jìn)行拆分成幾個(gè)部分的兩個(gè)端子的導(dǎo)體是需要進(jìn)一步認(rèn)真考慮分析的問(wèn)題。
為進(jìn)一步分析,筆者針對(duì)XXX號(hào)專利獨(dú)立權(quán)利1中的技術(shù)特征“導(dǎo)體”從專利說(shuō)明書(shū)、附圖和權(quán)利要求書(shū)進(jìn)行了解讀,該權(quán)1的技術(shù)方的這一技術(shù)特征實(shí)際上保護(hù)的是實(shí)施例中的“具有繞圈形式電感”導(dǎo)體,導(dǎo)體是對(duì)這一電感的上位概念,并且通過(guò)該電感可以達(dá)到調(diào)整電感量作用,對(duì)此筆者也根據(jù)這一思路來(lái)看待芯片產(chǎn)品,通過(guò)分析芯片產(chǎn)品上表面x射線光照?qǐng)D上的導(dǎo)體的構(gòu)成,發(fā)現(xiàn)上表面上也具備“繞圈形式電感”特征的導(dǎo)體,其次又對(duì)其兩個(gè)端子的連接關(guān)系進(jìn)行了仔細(xì)的分析。結(jié)果是XXX號(hào)專利獨(dú)立權(quán)利1中的技術(shù)特征“導(dǎo)體”與芯片產(chǎn)品的技術(shù)特征:“頂層表面導(dǎo)體及其連接方式”這一技術(shù)特征是相同的,而芯片產(chǎn)品的技術(shù)特征“導(dǎo)體”即使有多個(gè)端子也不妨礙這兩個(gè)特征具有相同性,因?yàn)闆](méi)有帶來(lái)實(shí)質(zhì)上的區(qū)別和技術(shù)效果。
由上述的案例可以看出,對(duì)產(chǎn)品技術(shù)方案的技術(shù)特征拆解,若采用不同的拆解方式有可能就會(huì)產(chǎn)生不同的結(jié)果,而導(dǎo)致判斷結(jié)論的錯(cuò)誤。目前在司法實(shí)踐中判斷兩技術(shù)方案是否相同或等同的過(guò)程,采取的是逐一特征比對(duì)原則,當(dāng)構(gòu)成兩整體技術(shù)方案的全部技術(shù)特征中的一項(xiàng)或一項(xiàng)以上不相同且不等同,則認(rèn)定兩者整體技術(shù)方案不相同,亦不等同。對(duì)此準(zhǔn)確地對(duì)產(chǎn)品技術(shù)特征進(jìn)行劃分,是很重要的,若僅是簡(jiǎn)單拆分得出不恰當(dāng)?shù)慕Y(jié)論就會(huì)給當(dāng)事人以及法院帶來(lái)困擾,具體如上面的例子出現(xiàn)的情況。
【關(guān)鍵詞】 集成電路 超低功耗 技術(shù)研究
集成電路在不斷的發(fā)展過(guò)程中,其所具備的信息處理能力越來(lái)越高,然而集成電路板的功耗也在不斷增大,這就使得電子設(shè)備設(shè)計(jì)者在性能和功耗的選擇過(guò)程中往往只能進(jìn)行折中選擇,這些都制約了電子元件的納米化發(fā)展,制約了集成電路的超大規(guī)模發(fā)展。這種憤怒格式的超低功耗技術(shù)只是通過(guò)對(duì)技術(shù)的制約來(lái)實(shí)現(xiàn)低功耗,因此超低功耗技術(shù)成為了一種制約集成電路發(fā)展的技術(shù)難題。
一、現(xiàn)有的集成電路的超低功耗可測(cè)性技術(shù)
在集成電路的發(fā)展進(jìn)程中,超低功耗集成電路的實(shí)現(xiàn)是一項(xiàng)綜合工程,需要在材料、電路構(gòu)造及系統(tǒng)的功耗之間進(jìn)行選擇。可測(cè)性技術(shù)所測(cè)試出的數(shù)據(jù)影響制約著集成電路的發(fā)展。但隨著集成電路在不斷發(fā)展過(guò)程中趨于形成超大規(guī)模集成電路結(jié)構(gòu),這就導(dǎo)致在現(xiàn)有的測(cè)試技術(shù)中,超大規(guī)模的集成電路板容易過(guò)熱而導(dǎo)致電路板損壞?,F(xiàn)有的超低功耗可測(cè)性技術(shù)并不能滿足對(duì)現(xiàn)有芯片的測(cè)試,并不能有效地通過(guò)對(duì)日益復(fù)雜的集成電路進(jìn)行測(cè)試,因此在對(duì)超低功耗集成電路技術(shù)進(jìn)行研究的同時(shí),還要把握現(xiàn)有的集成電路的超低功耗的可測(cè)性技術(shù)不斷革新,以擺脫現(xiàn)有測(cè)試技術(shù)對(duì)集成電路板發(fā)展的制約。
二、超低功耗集成電路研究發(fā)展方向
2.1 現(xiàn)有的超低功耗集成電路技術(shù)
在實(shí)際的操作過(guò)程,超低功耗集成電路是一項(xiàng)難以實(shí)現(xiàn)的綜合性較強(qiáng)的工程,需要考慮到集成電路的材料耗能與散熱,還要考慮到系統(tǒng)之間的耗能,卻是往往在性能和功耗之間進(jìn)行折中的選擇?,F(xiàn)有的超低功耗集成電路大多是基于CMOS硅基芯片技術(shù),為了實(shí)現(xiàn)集成電路的耗能減少,CMOS技術(shù)是通過(guò)在在整體系統(tǒng)的實(shí)現(xiàn)設(shè)計(jì),對(duì)結(jié)構(gòu)分布進(jìn)行優(yōu)化設(shè)計(jì)、通過(guò)對(duì)程序管理減少不必要的功耗,通過(guò)簡(jiǎn)化合理地電路結(jié)構(gòu)對(duì)CMOS器材、結(jié)構(gòu)空間、工藝技術(shù)間進(jìn)行立體的綜合優(yōu)化折中。在實(shí)際的應(yīng)用工程中,通過(guò)多核技術(shù)等結(jié)構(gòu)的應(yīng)用,達(dá)到降低電路集成的耗能,但是睡著電子原件的不斷更新?lián)Q代,使得現(xiàn)有的技術(shù)并不能達(dá)到性價(jià)比最優(yōu)的創(chuàng)收。
2.2 高新技術(shù)在超低功耗集成電路中的應(yīng)用
隨著電子元件的不斷向納米尺度發(fā)展,集成電路板的性能得到了質(zhì)的飛躍,但是集成電路芯片的耗能也變得日益夸張,因此在集成電路板的底層的邏輯存儲(chǔ)器件及相關(guān)專利技術(shù)、芯片內(nèi)部的局域之間的相互聯(lián)通和芯片間整體聯(lián)匯。通過(guò)有效的超低功耗的設(shè)計(jì)方法學(xué)理論,進(jìn)行合理的熱分布模型模擬預(yù)測(cè),計(jì)算所收集的數(shù)據(jù)信息,這種操作流程成為超低耗解決方案中的不可或缺的部分。
現(xiàn)在的主要的超低功耗技術(shù)有,在集成電路的工作期間采用盡可能低的工作電壓,其中芯片的核電壓為0.85V,緩存電壓0.9V。通過(guò)電壓的有效控制能夠減少電路集成技術(shù)所運(yùn)行期間所造成的熱量散發(fā),從而導(dǎo)致芯片過(guò)熱。對(duì)非工作核的實(shí)行休眠的柵控功耗技術(shù),減少芯片的運(yùn)作所需要承受的功。通過(guò)動(dòng)態(tài)供電及頻率技術(shù)對(duì)集成電路芯片進(jìn)行有效的控制節(jié)能。為了實(shí)現(xiàn)超低功耗集成電路,需要從器材的合理結(jié)構(gòu)、對(duì)電路元件材料的選擇、空間上的合理分配等多個(gè)層次進(jìn)行努力。通過(guò)有效地手段減少芯片在運(yùn)作過(guò)程中所存在的電力損耗,從而降電能功耗在電路總功耗中所占的比例,這樣能夠?qū)⒓呻娐钒宓暮哪苡行У乜刂啤@酶咝虏牧闲纬捎行У亩嚅y值CMOS/功率門(mén)控制技術(shù),對(duì)動(dòng)態(tài)閥值進(jìn)行數(shù)據(jù)監(jiān)控,可以有效地減少無(wú)用的做功,有效地減少器件泄漏電流。通過(guò)對(duì)多門(mén)學(xué)科知識(shí)的應(yīng)用實(shí)踐及高新材料的實(shí)際應(yīng)用,能夠有效地進(jìn)行減少集成電路的功耗。
【關(guān)鍵詞】集成電路設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè) 發(fā)展作用 發(fā)展趨勢(shì)
1 中國(guó)集成電路設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展歷程
集成電路又稱IC(Integrated Circuit),自從1958年第一塊集成電路誕生后得到了快速的發(fā)展。在整體機(jī)中,集成電路在計(jì)算機(jī)中的應(yīng)用最為廣泛,緊接著是通訊行業(yè),然后是電子消費(fèi)類行業(yè)。集成電路按結(jié)構(gòu)分類可以分為單片集成電路和混合集成電路兩大類。20世紀(jì)初世界上第一個(gè)電子管面世。到20世紀(jì)60年代我國(guó)的第一塊集成電路研制成功,比世界上第一塊集成電路晚了七年的時(shí)間。而且在這期間雙極型和MOS型電路的出現(xiàn)催生了集成電路產(chǎn)業(yè)的形成。20世紀(jì)90年代PC成為IC技術(shù)和市場(chǎng)發(fā)展的主要推動(dòng)力。到了21世紀(jì),智能終端和汽車電子將成為IC技術(shù)和市場(chǎng)發(fā)展的新的推動(dòng)力。
2 中國(guó)集成電路設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)發(fā)展的作用
現(xiàn)代社會(huì)的數(shù)字化、網(wǎng)絡(luò)化和信息化的速度越來(lái)越快,集成電路設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)在對(duì)于一個(gè)國(guó)家經(jīng)濟(jì)的發(fā)展、國(guó)防的建設(shè)、信息安全的維護(hù)以及綜合國(guó)力的提高都有重要作用。下面筆者從中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展對(duì)國(guó)民經(jīng)濟(jì)和國(guó)防安全兩個(gè)方面的重要作用進(jìn)行簡(jiǎn)單的分析。
2.1 有助于加快國(guó)民經(jīng)濟(jì)的發(fā)展
集成電路設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)對(duì)國(guó)民經(jīng)濟(jì)的提高首先體現(xiàn)在計(jì)算機(jī)方面。從第一臺(tái)計(jì)算機(jī)的發(fā)明到現(xiàn)在電腦的全面普及不得不說(shuō)得益于芯片集成度的提高,當(dāng)然,它與集成電路設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展有著密切的聯(lián)系。其次是對(duì)通信領(lǐng)域的促進(jìn)?,F(xiàn)在智能手機(jī)的普及各種支付軟件的使用等都極大地方便了人們的生活,拉近了人們之間的距離。同時(shí)也推動(dòng)了社會(huì)的快速發(fā)展。最后是對(duì)消費(fèi)類電子領(lǐng)域的促進(jìn)。人們從最早的黑白電視到現(xiàn)在的彩色電視,數(shù)字電視和計(jì)算機(jī)的普遍應(yīng)用都可以看出集成電路設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)促進(jìn)了傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)的更新?lián)Q代,促進(jìn)了世界的進(jìn)步。對(duì)加快國(guó)民經(jīng)濟(jì)的發(fā)展具有重大意義。
2.2 有益于加強(qiáng)國(guó)防安全的建設(shè)
計(jì)算機(jī)既是集成電路的核心也是國(guó)家和國(guó)民信息的載體。目前,微電子技術(shù)在計(jì)算機(jī)、通訊設(shè)備、導(dǎo)航設(shè)備、電子對(duì)抗設(shè)備等軍用設(shè)備中已經(jīng)得到廣泛的應(yīng)用。這也使得微子技術(shù)的成熟水平和發(fā)展規(guī)模成為衡量一個(gè)國(guó)家軍事能力和綜合國(guó)力的重要標(biāo)志?,F(xiàn)代戰(zhàn)爭(zhēng)不再是單純武力的較量,更多的是科學(xué)技術(shù)之間的抗衡。微電子技術(shù)使人們擺脫了一些超重超大的武器裝備。所以微電子技術(shù)的使用大大提高了單兵的作戰(zhàn)能力。微電子技術(shù)促進(jìn)了裝備的輕便化、提高了軍隊(duì)的隱蔽性,能大大增強(qiáng)部隊(duì)和武器裝備的作戰(zhàn)能力。二是提高了武器的打擊精準(zhǔn)度。三是增強(qiáng)了國(guó)家和國(guó)民的信息安全性。
3 中國(guó)集成電路設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展趨勢(shì)
在政策支持和市場(chǎng)需求的帶動(dòng)下,去年中國(guó)集成電路設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展呈現(xiàn)平穩(wěn)快速發(fā)展的態(tài)勢(shì)。中國(guó)集成電路設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)在面臨新的發(fā)展機(jī)遇和挑戰(zhàn)以及新的發(fā)展重點(diǎn)和發(fā)展前景時(shí)又會(huì)表現(xiàn)出什么樣的發(fā)展趨勢(shì)呢?下面是筆者提出的幾點(diǎn)看法。
3.1 中國(guó)集成電路設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)將達(dá)到世界主流水平
在2015年,中國(guó)集成電路設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)在很多技術(shù)領(lǐng)域取得了巨大的成功。例如運(yùn)用16納米FinFETplus技術(shù)的SoC芯片的設(shè)計(jì)技術(shù)的成功;28納米多晶硅生產(chǎn)工藝的成熟;4G芯片在中國(guó)市場(chǎng)爆炸性的增長(zhǎng);2015年28納米制程芯片在中芯國(guó)際的大規(guī)模生產(chǎn);在2016年,中國(guó)在14納米級(jí)以下工藝和存儲(chǔ)器等多個(gè)方面實(shí)現(xiàn)突破性的進(jìn)展。這些都預(yù)示著中國(guó)的集成電路設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)會(huì)在2017年再創(chuàng)新佳績(jī)。并且中國(guó)的集成電路設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)將有望達(dá)到世界主流水平。
3.2 中國(guó)集成電路設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)將面臨更大的挑戰(zhàn)
由于中國(guó)集成電路設(shè)計(jì)與市場(chǎng)需求的變化不協(xié)調(diào),致使中國(guó)的集成電路產(chǎn)業(yè)難以進(jìn)入整機(jī)領(lǐng)域中的高端市場(chǎng)。首先,國(guó)內(nèi)移動(dòng)智能終端產(chǎn)品形態(tài)趨于多樣化發(fā)展,這就要求集成電路在產(chǎn)品功能和技術(shù)參數(shù)方面不斷創(chuàng)造創(chuàng)新,而我國(guó)的智能終端用高端芯片領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)力還不夠強(qiáng)。其次,我國(guó)集成電路市場(chǎng)約占全球總市場(chǎng)的57%,雖然是全球最大的集成電路市場(chǎng),但是中國(guó)在市場(chǎng)中的權(quán)威性還很低。需求量大的CPU、存儲(chǔ)器等市場(chǎng)還是由國(guó)外企業(yè)多壟斷,這一現(xiàn)象對(duì)于芯片的國(guó)有化目標(biāo)產(chǎn)生了很大的阻礙。所以國(guó)內(nèi)的集成電路設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)將面臨更大的挑戰(zhàn)。最后是集成電路領(lǐng)域的企業(yè)并購(gòu)現(xiàn)象的加劇,使國(guó)內(nèi)的競(jìng)爭(zhēng)格局面臨重塑,國(guó)內(nèi)企業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)壓力也將持續(xù)增加。
3.3 智能終端和汽車電子將仍是中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的主要推動(dòng)力
在云計(jì)算和大數(shù)據(jù)技術(shù)的推動(dòng)下,高科技走進(jìn)了人們的日常生活中。能源管理、城市安全、遠(yuǎn)端醫(yī)療、智慧家庭和智慧交通等的發(fā)展對(duì)中國(guó)集成電子領(lǐng)域的需求不斷加大。低耗能和小尺寸的芯片技術(shù)在智能手機(jī)和智能家電中的廣泛使用也加大了對(duì)集成電子技術(shù)的要求。隨著國(guó)內(nèi)企業(yè)芯片技術(shù)的提升,國(guó)外芯片技術(shù)壟斷中國(guó)芯片市場(chǎng)的現(xiàn)象將被打破。另外在2015年汽車電子的復(fù)合增長(zhǎng)率超過(guò)了10%。由此可以看出中國(guó)的集成電路設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)發(fā)展的主要推動(dòng)力仍將是智能終端和汽車電子。
4 結(jié)語(yǔ)
集成電路設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展對(duì)于增強(qiáng)國(guó)防實(shí)力、發(fā)展經(jīng)濟(jì)和提高人們生活水平和生活質(zhì)量有著密切的聯(lián)系。只有擁有高端的技術(shù)工藝,在國(guó)際中擁有重要的話語(yǔ)權(quán)才是綜合國(guó)力增強(qiáng)的主要表現(xiàn)。集成電路的發(fā)展仍向著高頻、高速、高度集成、低耗能、尺寸小、壽命長(zhǎng)等方向展開(kāi)。在21世紀(jì),集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展仍是我國(guó)科技發(fā)展的重中之重也是信息技術(shù)發(fā)展的必然結(jié)果。在面臨大的機(jī)遇和嚴(yán)峻挑戰(zhàn)的同時(shí),中國(guó)集成電路設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展必須保持穩(wěn)中求進(jìn),積極研發(fā)高端技術(shù)上來(lái)。發(fā)展自身的長(zhǎng)處,積極彌補(bǔ)自身的短板達(dá)到平衡發(fā)展。
參考文獻(xiàn):
[1]于宗光,黃偉.中國(guó)集成電路設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展趨勢(shì)[J].2014.
IC芯片(IntegratedCircuit集成電路)是將大量的微電子元器件(晶體管、電阻、電容等)形成的集成電路放在一塊塑基上,做成一塊芯片。而今幾乎所有看到的芯片,都可以叫做IC芯片。
集成電路(integratedcircuit)是一種微型電子器件或部件。采用一定的工藝,把一個(gè)電路中所需的晶體管、二極管、電阻、電容和電感等元件及布線互連一起,制作在一小塊或幾小塊半導(dǎo)體晶片或介質(zhì)基片上,然后封裝在一個(gè)管殼內(nèi),成為具有所需電路功能的微型結(jié)構(gòu);其中所有元件在結(jié)構(gòu)上已組成一個(gè)整體,使電子元件向著微小型化、低功耗和高可靠性方面邁進(jìn)了一大步。它在電路中用字母“IC”表示。集成電路發(fā)明者為杰克·基爾比(基于硅的集成電路)和羅伯特·諾伊思(基于鍺的集成電路)。當(dāng)今半導(dǎo)體工業(yè)大多數(shù)應(yīng)用的是基于硅的集成電路
(來(lái)源:文章屋網(wǎng) )
設(shè)立針對(duì)集成電路產(chǎn)業(yè)的國(guó)家級(jí)投資基金,是貫徹《國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》的一項(xiàng)重要舉措,也是適應(yīng)集成電路產(chǎn)業(yè)投資大、風(fēng)險(xiǎn)高的產(chǎn)業(yè)特征、破解集成電路產(chǎn)業(yè)融資瓶頸、創(chuàng)新產(chǎn)業(yè)投資體制機(jī)制的積極探索。以此為標(biāo)志,國(guó)內(nèi)芯片行業(yè)的投資大幕已經(jīng)開(kāi)啟。
此前,我們多次出臺(tái)扶持政策:2000年,國(guó)務(wù)院出臺(tái)《鼓勵(lì)軟件產(chǎn)業(yè)和集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的若干政策》(舊“18號(hào)文”);2008年,《集成電路產(chǎn)業(yè)“十一五”專項(xiàng)規(guī)劃》重點(diǎn)建設(shè)京津滬等地的國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)園;2011年,有著“新18號(hào)文”之稱的《進(jìn)一步鼓勵(lì)軟件產(chǎn)業(yè)和集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的若干政策》出臺(tái)……
14年間,多項(xiàng)產(chǎn)業(yè)扶持政策出臺(tái),至今效果不彰,中國(guó)80%的芯片需求依賴進(jìn)口。依據(jù)海關(guān)統(tǒng)計(jì),2013年中國(guó)芯片進(jìn)口額達(dá)2313.4億美元,同比增長(zhǎng)20.4%,首次超過(guò)原油成為我國(guó)第一大進(jìn)口商品。
為什么?因?yàn)橹袊?guó)芯片產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵癥結(jié)在于資金投入嚴(yán)重不足。
芯片產(chǎn)業(yè)被業(yè)界喻為“吞金獸”產(chǎn)業(yè),建設(shè)一條12英寸晶圓生產(chǎn)線的投入,一般在15億-30億美元之間。但工信部數(shù)據(jù)顯示,從2008年到2013年,我國(guó)集成電路行業(yè)固定資產(chǎn)投資總額僅400億美元,平攤下來(lái)每年投資不足70億美元,而英特爾僅在2013年的投入就高達(dá)130億美元。
沒(méi)有錢(qián),任何寬松的環(huán)境和政策都是“無(wú)源之水”,造成中國(guó)芯片產(chǎn)業(yè)大而不強(qiáng)。我國(guó)有約520家芯片企業(yè),但在2012年,中國(guó)前十大芯片設(shè)計(jì)企業(yè)銷售額總計(jì)226.4億元人民幣,而高通一家的營(yíng)收就達(dá)到830億元人民幣。
由于資金實(shí)力薄弱,國(guó)內(nèi)芯片企業(yè)很難靠自有資金去升級(jí)和擴(kuò)展生產(chǎn)線。并且,隨著芯片業(yè)景氣值在前幾年步入低谷,風(fēng)險(xiǎn)投資也對(duì)這個(gè)產(chǎn)業(yè)敬而遠(yuǎn)之。因此,對(duì)于投資大、風(fēng)險(xiǎn)高的產(chǎn)業(yè),需要一支國(guó)字號(hào)的產(chǎn)業(yè)基金來(lái)作為定海神針,以破解發(fā)展瓶頸。
我們認(rèn)為,投資基金成立的目的,就是為了吸引大型企業(yè)、金融機(jī)構(gòu)以及社會(huì)資金,充分利用其杠桿作用起到投資帶動(dòng)融資的效應(yīng),以千億規(guī)模,成倍地撬動(dòng)地方、銀行和社會(huì)資本,最終匯集成萬(wàn)億的龐大資金池,為中國(guó)芯片產(chǎn)業(yè)插上騰飛的翅膀。
從入股基金的公司業(yè)務(wù)布局來(lái)看,從資本到產(chǎn)業(yè)鏈的關(guān)鍵企業(yè),再到終端設(shè)備采購(gòu)商,均參與其中。籍由它們引領(lǐng),芯片產(chǎn)業(yè)鏈條中的制造、設(shè)計(jì)、封裝測(cè)試、設(shè)備和材料等環(huán)節(jié),都可能從投資基金中受惠,中國(guó)芯片業(yè)“散亂小”的現(xiàn)狀將迎來(lái)做大做強(qiáng)的并購(gòu)整合潮。
需要指出的是,建立自我掌控的芯片產(chǎn)業(yè),不能簡(jiǎn)單地理解為是對(duì)國(guó)家信息安全的考慮,事實(shí)上,更具戰(zhàn)略意義的考量是,芯片產(chǎn)業(yè)是助力中國(guó)制造向“中國(guó)智造”轉(zhuǎn)型的推進(jìn)器。
在撲面而來(lái)的“中國(guó)智造”時(shí)代,無(wú)論是打造物聯(lián)網(wǎng),還是全新的智慧城市,以及智能汽車、4G應(yīng)用、綠色能源等產(chǎn)業(yè),無(wú)處不在的芯片需求將創(chuàng)造出一個(gè)巨大的內(nèi)需市場(chǎng)。預(yù)計(jì)到2015年市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)1.2萬(wàn)億元。顯然,這樣一個(gè)關(guān)乎國(guó)家長(zhǎng)遠(yuǎn)發(fā)展戰(zhàn)略的核心產(chǎn)業(yè),我們不能受制于人。
還需要提及的是,國(guó)家近期還在為發(fā)展自主芯片產(chǎn)業(yè)創(chuàng)造積極條件。
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