Journal Of Semiconductors SCIE
國際簡稱：J SEMICOND 參考譯名：半導體學報
主要研究方向：PHYSICS, CONDENSED MATTER 非預警期刊 審稿周期：
《半導體學報》(Journal Of Semiconductors)是一本由Institute of Physics Publishing出版的以PHYSICS, CONDENSED MATTER為研究特色的國際期刊，發表該領域相關的原創研究文章、評論文章和綜述文章，及時報道該領域相關理論、實踐和應用學科的最新發現，旨在促進該學科領域科學信息的快速交流。該期刊是一本未開放期刊，近三年沒有被列入預警名單。
Founded in 1980, it is an academic journal sponsored by the Chinese Society of Electronics and the Institute of Semiconductors of the Chinese Academy of Sciences. It reports on the latest scientific research achievements and technological progress in semiconductor physics, semiconductor science and technology, and related scientific and technological fields, including semiconductor superlattice and microstructure physics, semiconductor material physics, growth and property testing of new semiconductor materials including quantum dots and quantum wires, semiconductor device physics, CAD design and development of new semiconductor devices and integrated circuits, new processes, semiconductor optoelectronic devices and optoelectronic integration, thin film growth processes, properties and applications related to semiconductor devices, etc. This journal is different from physics and electronics journals in that it focuses on semiconductors and related materials, covering physics, materials, devices, applications, research, and technological development. It is a comprehensive academic journal that spans both physics and information science disciplines. Published articles in both Chinese and English in the Journal of Semiconductors. The Journal of Semiconductors has been indexed by four major search systems in the world, including the American Engineering Index (EI), Chemical Abstracts (CA), Scientific Abstracts (SA), and Russian Abstracts Journal (パЖ).
Journal Of Semiconductors期刊信息
- ISSN：1674-4926
- 出版語言：English
- 是否OA：未開放
- E-ISSN：1674-4926
- 出版地區：PEOPLES R CHINA
- 是否預警：否
- 出版商：Institute of Physics Publishing
- 出版周期：12 issues/year
- 開源占比：0
- Gold OA文章占比：0.00%
- OA被引用占比：0
- 出版國人文章占比：0
- 出版撤稿占比：
- 研究類文章占比：68.70%
Journal Of Semiconductors CiteScore評價數據（2024年最新版）
| CiteScore | SJR | SNIP | CiteScore 指數 | ||||||||||||||||||||
| 6.7 | 0.856 | 0.799 |
|
名詞解釋：CiteScore 是衡量期刊所發表文獻的平均受引用次數，是在 Scopus 中衡量期刊影響力的另一個指標。當年CiteScore 的計算依據是期刊最近4年（含計算年度）的被引次數除以該期刊近四年發表的文獻數。例如，2022年的 CiteScore 計算方法為：2022年的 CiteScore =2019-2022年收到的對2019-2022年發表的文件的引用數量÷2019-2022年發布的文獻數量 注：文獻類型包括：文章、評論、會議論文、書籍章節和數據論文。
Journal Of Semiconductors中科院評價數據
中科院 2023年12月升級版
| Top期刊 | 綜述期刊 | 大類學科 | 小類學科 | ||
| 否 | 否 | 物理與天體物理 | 4區 | PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理：凝聚態物理 | 4區 |
中科院 2022年12月升級版
| Top期刊 | 綜述期刊 | 大類學科 | 小類學科 | ||
| 否 | 否 | 物理與天體物理 | 4區 | PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理：凝聚態物理 | 4區 |
中科院 2021年12月舊的升級版
| Top期刊 | 綜述期刊 | 大類學科 | 小類學科 | ||
| 否 | 否 | 物理與天體物理 | 4區 | PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理：凝聚態物理 | 4區 |
中科院 2021年12月基礎版
| Top期刊 | 綜述期刊 | 大類學科 | 小類學科 | ||
| 否 | 否 | 物理 | 4區 | PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理：凝聚態物理 | 4區 |
中科院 2021年12月升級版
| Top期刊 | 綜述期刊 | 大類學科 | 小類學科 | ||
| 否 | 否 | 物理與天體物理 | 4區 | PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理：凝聚態物理 | 4區 |
中科院 2020年12月舊的升級版
| Top期刊 | 綜述期刊 | 大類學科 | 小類學科 | ||
| 否 | 否 | 物理與天體物理 | 4區 | PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理：凝聚態物理 | 4區 |
Journal Of Semiconductors JCR評價數據（2023-2024年最新版）
| 按JIF指標學科分區 | 收錄子集 | 分區 | 排名 | 百分位 |
| 學科：PHYSICS, CONDENSED MATTER | ESCI | Q2 | 22 / 79 |
72.8% |
| 按JCI指標學科分區 | 收錄子集 | 分區 | 排名 | 百分位 |
| 學科：PHYSICS, CONDENSED MATTER | ESCI | Q2 | 37 / 79 |
53.8% |
Journal Of Semiconductors歷年數據統計
影響因子
中科院分區
Journal Of Semiconductors中國學者發文選摘
-
1、Electromechanical and photoelectric properties of a novel semiconducting Janus InGaSSe monolayer
Author: Zhong, Li; Li, Xiaobao; Wang, Wei; Xiao, Xinle
Journal: JOURNAL OF SEMICONDUCTORS. 2023; Vol. 44, Issue 1, pp. -. DOI: 10.1088/1674-4926/44/1/012701
-
2、Gate tunable spatial accumulation of valley-spin in chemical vapor deposition grown 40 degrees-twisted bilayer WS2
Author: Zhao, Siwen; Shao, Gonglei; Han, Zheng Vitto; Liu, Song; Zhang, Tongyao
Journal: JOURNAL OF SEMICONDUCTORS. 2023; Vol. 44, Issue 1, pp. -. DOI: 10.1088/1674-4926/44/1/012001
-
3、The twisted two-dimensional ferroelectrics
Author: Zhang, Xinhao; Peng, Bo
Journal: JOURNAL OF SEMICONDUCTORS. 2023; Vol. 44, Issue 1, pp. -. DOI: 10.1088/1674-4926/44/1/011002
-
4、Review of phonons in moire superlattices
Author: Li, Zhenyao; Lai, Jia-Min; Zhang, Jun
Journal: JOURNAL OF SEMICONDUCTORS. 2023; Vol. 44, Issue 1, pp. -. DOI: 10.1088/1674-4926/44/1/011902
-
5、75 GHz germanium waveguide photodetector with 64 Gbps data rates utilizing an inductive-gain-peaking technique
Author: Li, Xiuli; Zhu, Yupeng; Liu, Zhi; Peng, Linzhi; Liu, Xiangquan; Niu, Chaoqun; Zheng, Jun; Zuo, Yuhua; Cheng, Buwen
Journal: JOURNAL OF SEMICONDUCTORS. 2023; Vol. 44, Issue 1, pp. -. DOI: 10.1088/1674-4926/44/1/012301
-
6、Interface engineering in two-dimensional heterostructures towards novel emitters
Author: Li, Hua; Ling, Jinyang; Lin, Jiamin; Lu, Xin; Xu, Weigao
Journal: JOURNAL OF SEMICONDUCTORS. 2023; Vol. 44, Issue 1, pp. -. DOI: 10.1088/1674-4926/44/1/011001
-
7、Recent progress on fabrication and flat-band physics in 2D transition metal dichalcogenides moire superlattices
Author: Huang, Xinyu; Han, Xu; Dai, Yunyun; Xu, Xiaolong; Yan, Jiahao; Huang, Mengting; Ding, Pengfei; Zhang, Decheng; Chen, Hui; Laxmi, Vijay; Wu, Xu; Liu, Liwei; Wang, Yeliang; Xu, Yang; Huang, Yuan
Journal: JOURNAL OF SEMICONDUCTORS. 2023; Vol. 44, Issue 1, pp. -. DOI: 10.1088/1674-4926/44/1/011901
-
8、Interaction of moire excitons with cavity photons in two-dimensional semiconductor hetero-bilayers
Author: Gao, Yuchen; Ye, Yu
Journal: JOURNAL OF SEMICONDUCTORS. 2023; Vol. 44, Issue 1, pp. -. DOI: 10.1088/1674-4926/44/1/011903
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